- 您现在的位置：买卖IC网 > Sheet目录434 > FQPF33N10L (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F
Typical Characteristics
Top :
V GS
10.0 V
8.0 V
6.0 V
5.0 V
10
10
10
1
4.5 V
4.0 V
3.5 V
Bottom : 3.0 V
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
1
0
175 ℃
25 ℃
-55 ℃
※ Notes :
1. V DS = 30V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
10
0
-1
0
1
-1
0
2
4
6
8
10
10
0.20
0.16
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS = 5V
1
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
10
0.12
V GS = 10V
0.08
0
0.04
※ Note : T J = 25 ℃
175 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0.00
0
30
60
90
120
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
3600
3000
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
V DS = 50V
2400
8
V DS = 80V
1800
1200
C iss
C oss
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
6
4
C rss
600
2
※ Note : I D = 33A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
10
20
30
40
50
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQPF33N10L Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
FQPF33N10
MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F
FQPF3N80CYDTU
MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F
FQPF45N15V2
MOSFET N-CH 150V 45A TO-TO-220F
FQPF47P06YDTU
MOSFET P-CH 60V 30A TO-220F
FQPF5N40
MOSFET N-CH 400V 3A TO-220F
FQPF5N60CYDTU
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F
FQPF5N90
MOSFET N-CH 900V 3A TO-220F
FQPF5P20
MOSFET P-CH 200V 3.4A TO-220F
相关代理商/技术参数
FQPF34N20
功能描述:MOSFET 200V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQPF34N20
制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220F
FQPF34N20L
功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQPF3N25
功能描述:MOSFET 250V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQPF3N30
功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQPF3N40
功能描述:MOSFET 400V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQPF3N50C
功能描述:MOSFET N-CH/400V/ .6A/3.4OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQPF3N60
功能描述:MOSFET 600V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube